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ISSI® IS43LQ16128AL-062TBLI-TR
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
N.º de pieza del fabricante :IS43LQ16128AL-062TBLI-TR
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43LQ16128AL-062TBLI-TR-DS
Ficha de datos :
IS43LQ16128AL-062TBLI-TR Ficha de datos
IS43LQ16128AL-062TBLI-TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IS43LQ16128AL-062TBLI-TR información
ISSI® IS43LQ16128AL-062TBLI-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:200-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR4X
- サプライヤーデバイスパッケージ:200-TFBGA (10x14.5)
- メモリサイズ:2Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:1.6 GHz
- アクセス時間:3.5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:LVSTL
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:18ns
- 記憶の組織化:128M x 16
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LQ16128AL-062TBLI-TR fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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