Las imágenes son sólo para referencia.

Compartir

1 : $19.3428

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

ISSI® IS43QR16256B-083RBL-TR

4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IS43QR16256B-083RBL-TR
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43QR16256B-083RBL-TR-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 19.3428$ 193.43
2500+$ 10.7460$ 26865
5000+$ 9.9450$ 49725
En stock: 15000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 19.3428
Total :$ 19.34
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

IS43QR16256B-083RBL-TR información

  • ISSI® IS43QR16256B-083RBL-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:0°C ~ 95°C (TC)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:96-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM - DDR4
  • サプライヤーデバイスパッケージ:96-TWBGA (7.5x13.5)
  • メモリサイズ:4Gbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:1.14V ~ 1.26V
  • クロック周波数:1.2 GHz
  • アクセス時間:19 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:POD
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
  • 記憶の組織化:256M x 16
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43QR16256B-083RBL-TR fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

  • RFQ