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IXYS IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
N.º de pieza del fabricante :IXFN30N110P
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXFN30N110P-DS
Ficha de datos :
IXFN30N110P Ficha de datos
IXFN30N110P Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 56.3520 | $ 563.52 |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IXFN30N110P información
IXYS IXFN30N110P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- 消費電力（最大）:695W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:25A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:360mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:6.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:235 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:13600 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXFN30N110P fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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