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Linear Integrated Systems Inc. U309 TO-18 3L
WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-
N.º de pieza del fabricante :U309 TO-18 3L
Fabricante :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic Número de pieza :U309 TO-18 3L-DS
Ficha de datos :
U309 TO-18 3L Ficha de datos
U309 TO-18 3L Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : WIDEBAND, HIGH GAIN, SINGLE, N-
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 5.4090 | $ 5.41 |
| 10+ | $ 4.6359 | $ 46.36 |
| 100+ | $ 3.8633 | $ 386.33 |
| 500+ | $ 3.4088 | $ 1704.4 |
| 1000+ | $ 3.0679 | $ 3067.9 |
En stock: 1938
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 5.409
Total :$ 5.41
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U309 TO-18 3L información
Linear Integrated Systems Inc. U309 TO-18 3L especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - JFETs
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Potencia - Máxima:500 mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-18-3
- Tipo F E T:N-Channel
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):-
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:4pF @ 10V
- Voltaje - Ruptura ( V( B R) G S S):25 V
- Corriente - Drenaje ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):-
- Consumo de corriente ( Id): Máx.:-
- Voltaje - Corte ( V G S desactivado) @ Id:-
- Resistencia - R D S( On):35 Ohms
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
U309 TO-18 3L fornecido por Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems fue fundada en 1987 por John H. Hall. Linear Integrated Systems desarrolla y produce los semiconductores de mayor rendimiento de su tipo en la industria. Nuestra línea de productos consta de: JFET duales y simples de canal N y canal P de ruido ultrabajo, conmutadores DMOS laterales de alta velocidad, transistores bipolares, amplificadores BIFET, diodos reguladores de corriente, diodos de baja fuga, MOSFET, PhotoFETS y resistencias controladas por voltaje. Linear Integrated Systems utiliza procesos y diseños patentados y propios para crear sus semiconductores discretos de alto rendimiento. Trabajando en tres instalaciones de fabricación de Silicon Valley, nuestros componentes son líderes mundiales en aplicaciones que van desde la escucha submarina militar hasta la cámara de telescopio espacial más grande que existe. Músicos ganadores de premios Grammy confían en micrófonos que utilizan nuestros componentes, y algunos de los mejores equipos de audio que existen dependen de nuestras piezas para escuchar esta música. Los sistemas que van desde aviones de pasajeros hasta naves espaciales basan sus sensores en nuestros semiconductores. Nuestras instalaciones de diseño y fabricación están ubicadas en el corazón de Silicon Valley, California.
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