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Rochester Electronics CY7C1311KV18-250BZC
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
N.º de pieza del fabricante :CY7C1311KV18-250BZC
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :CY7C1311KV18-250BZC-DS
Ficha de datos :
CY7C1311KV18-250BZC Ficha de datos
CY7C1311KV18-250BZC Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 21.0510 | $ 21.05 |
| 25+ | $ 20.6280 | $ 515.7 |
| 100+ | $ 19.7910 | $ 1979.1 |
| 500+ | $ 18.9450 | $ 9472.5 |
| 1000+ | $ 17.8920 | $ 17892 |
En stock: 1761
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 21.051
Total :$ 21.05
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CY7C1311KV18-250BZC información
Rochester Electronics CY7C1311KV18-250BZC especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:165-LBGA
- テクノロジー:SRAM - Synchronous, QDR II
- サプライヤーデバイスパッケージ:165-FBGA (13x15)
- メモリサイズ:18Mb (2M x 8)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
- クロック周波数:250 MHz
- アクセス時間:-
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:3A991B2A
- HTS 米国:8542.32.0041
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CY7C1311KV18-250BZC fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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