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Infineon Technologies IRF6616TRPBF
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
N.º de pieza del fabricante :IRF6616TRPBF
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IRF6616TRPBF-DS
Ficha de datos :
IRF6616TRPBF Ficha de datos
IRF6616TRPBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.3042 | $ 0.3 |
| 10+ | $ 0.3042 | $ 3.04 |
| 25+ | $ 0.3042 | $ 7.61 |
| 50+ | $ 0.3042 | $ 15.21 |
| 100+ | $ 0.3042 | $ 30.42 |
En stock: 1540
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IRF6616TRPBF información
Infineon Technologies IRF6616TRPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric MX
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DIRECTFET™ MX
- 消費電力（最大）:2.8W (Ta), 89W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:19A (Ta), 106A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.25V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:44 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3765 pF @ 20 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRF6616TRPBF fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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