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Advanced Linear Devices Inc. ALD1105SBL
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
N.º de pieza del fabricante :ALD1105SBL
Fabricante :Advanced Linear Devices Inc.
Dasenic Número de pieza :ALD1105SBL-DS
Ficha de datos :
ALD1105SBL Ficha de datos
ALD1105SBL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 6.1650 | $ 6.17 |
| 50+ | $ 3.2951 | $ 164.76 |
| 100+ | $ 6.1650 | $ 616.5 |
| 500+ | $ 2.5346 | $ 1267.3 |
| 1000+ | $ 2.5088 | $ 2508.8 |
En stock: 1563
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 6.165
Total :$ 6.17
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ALD1105SBL información
Advanced Linear Devices Inc. ALD1105SBL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:500mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:14-SOIC
- F E Tタイプ:2 N and 2 P-Channel Matched Pair
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):10.6V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:500Ohm @ 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3pF @ 5V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ALD1105SBL fornecido por Advanced Linear Devices Inc.
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