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Advanced Linear Devices Inc. ALD110900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
N.º de pieza del fabricante :ALD110900APAL
Fabricante :Advanced Linear Devices Inc.
Dasenic Número de pieza :ALD110900APAL-DS
Ficha de datos :
ALD110900APAL Ficha de datos
ALD110900APAL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 7.3080 | $ 7.31 |
| 10+ | $ 5.8230 | $ 58.23 |
| 100+ | $ 4.3110 | $ 431.1 |
| 500+ | $ 3.7980 | $ 1899 |
En stock: 1550
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 7.308
Total :$ 7.31
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ALD110900APAL información
Advanced Linear Devices Inc. ALD110900APAL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Potencia - Máxima:500mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:8-PDIP
- Tipo F E T:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Función F E T:Standard
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):10.6V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:-
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:500Ohm @ 4V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:10mV @ 1µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:-
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:2.5pF @ 5V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.21.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ALD110900APAL fornecido por Advanced Linear Devices Inc.
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