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Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :ALD114913SAL
Fabricante :Advanced Linear Devices Inc.
Dasenic Número de pieza :ALD114913SAL-DS
Ficha de datos :
ALD114913SAL Ficha de datos
ALD114913SAL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 4.8150 | $ 4.82 |
| 50+ | $ 2.7279 | $ 136.4 |
| 100+ | $ 4.8150 | $ 481.5 |
| 500+ | $ 2.2388 | $ 1119.4 |
En stock: 1550
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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ALD114913SAL información
Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Potencia - Máxima:500mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:8-SOIC
- Tipo F E T:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Función F E T:Depletion Mode
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):10.6V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:12mA, 3mA
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:500Ohm @ 2.7V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:1.26V @ 1µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:-
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:2.5pF @ 5V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ALD114913SAL fornecido por Advanced Linear Devices Inc.
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