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Advanced Linear Devices Inc. ALD212908APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
N.º de pieza del fabricante :ALD212908APAL
Fabricante :Advanced Linear Devices Inc.
Dasenic Número de pieza :ALD212908APAL-DS
Ficha de datos :
ALD212908APAL Ficha de datos
ALD212908APAL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 50+ | $ 15.4800 | $ 774 |
| 100+ | $ 14.2200 | $ 1422 |
| 250+ | $ 13.3800 | $ 3345 |
| 500+ | $ 12.5400 | $ 6270 |
| 1000+ | $ 11.2800 | $ 11280 |
En stock: 2419
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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ALD212908APAL información
Advanced Linear Devices Inc. ALD212908APAL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
- パワー - 最大:500mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDIP
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):10.6V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:80mA
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:20mV @ 10µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ALD212908APAL fornecido por Advanced Linear Devices Inc.
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