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Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-CT
N.º de pieza del fabricante :CP406-CWDM3011N-CT
Fabricante :Central Semiconductor
Dasenic Número de pieza :CP406-CWDM3011N-CT-DS
Ficha de datos : CP406-CWDM3011N-CT Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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CP406-CWDM3011N-CT información
Central Semiconductor CP406-CWDM3011N-CT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 消費電力(最大):1.15W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9.93A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:13mOhm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CP406-CWDM3011N-CT fornecido por Central Semiconductor
Central Semiconductor は、個別半導体に真剣に取り組んでいます。当社の事業は、製造するデバイス、製品の提供、提供するサービスにおいて、常に完璧さを追求することです。さまざまな用途に対応するため、当社の製品は表面実装、スルーホール、ベアダイで提供されています。当社は幅広い標準デバイスを製造していますが、カスタム、特殊、その他のニッチな製品やサービスにも優れています。お客様の声に耳を傾け、業界の変化を監視しながら、当社の製品設計チームは、常に変化するお客様の要件や業界のトレンドを満たす新製品の開発に取り組んでいます。
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