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Diotec Semiconductor DI012N60D1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
N.º de pieza del fabricante :DI012N60D1
Fabricante :Diotec Semiconductor
Dasenic Número de pieza :DI012N60D1-DS
Ficha de datos :
DI012N60D1 Ficha de datos
DI012N60D1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 5.5440 | $ 55.44 |
| 625+ | $ 4.6200 | $ 2887.5 |
| 1250+ | $ 2.8400 | $ 3550 |
| 1875+ | $ 2.2400 | $ 4200 |
| 2500+ | $ 2.2000 | $ 5500 |
En stock: 1551
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.544
Total :$ 5.54
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DI012N60D1 información
Diotec Semiconductor DI012N60D1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-3, DPak
- 消費電力（最大）:130W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:12A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:260mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1210 pF @ 150 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- HTS 米国:8541.21.0000
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DI012N60D1 fornecido por Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor AG は、ダイオード、整流器、ショットキー、ツェナー、TVS、BJT、MOSFET などの半導体部品の設計と製造における技術リーダーです。Diotec ブランドは、ドイツ、スロベニア、中国、インドに製造施設を持ち、6,000 種類以上の製品を提供しています。Diotec の製品は、世界中のエレクトロニクス分野のお客様に使用されています。当社の強みは、ウェハ製造からチップ製造、製品の組み立てとテストまで、幅広いノウハウです。本社はドイツ南西部のフライブルク市の近くにあります。生産のほかに、当社はその場所で自社施設の製造ラインとテスト機器を開発し、構築しています。
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