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Diodes Incorporated DMG4435SSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
- N.º de pieza del fabricante :DMG4435SSS-13
- Fabricante :Diodes Incorporated
- Dasenic Número de pieza :DMG4435SSS-13-DS
- Ficha de datos :
DMG4435SSS-13 Ficha de datos - Descripción : MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Paquete :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Cantidad :Precio unitario : $ 0.2723Total : $ 0.27
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 170 + | $ 0.2723 | $ 46.29 |
| 405 + | $ 0.2235 | $ 90.52 |
| 625 + | $ 0.2165 | $ 135.31 |
| 860 + | $ 0.2094 | $ 180.08 |
| 1115 + | $ 0.2025 | $ 225.79 |
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Diodes Incorporated DMG4435SSS-13 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:8-SO
Disipación de potencia (máxima):2.5W (Ta)
Tipo F E T:P-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):30 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:7.3A (Ta)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:16mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:35.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1614 pF @ 15 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):5V, 20V
Vgs (máximo):±25V
Diodes Incorporated DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) es un fabricante y proveedor líder mundial de productos estándar específicos para aplicaciones de alta calidad dentro de los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos, analógicos y de señal mixta. Diodes atiende a los mercados automotriz, industrial, informático, de electrónica de consumo y de comunicaciones. Nuestra cartera de productos incluye diodos, transistores, MOSFET, dispositivos de protección, lógica, reguladores de voltaje, amplificadores, sensores y dispositivos de administración de energía como convertidores y controladores de LED. También ofrecemos soluciones de sincronización y conectividad. Las instalaciones de fabricación de Diodes cuentan con certificaciones reconocidas internacionalmente en ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 (para productos automotrices) y C-TPAT, lo que subraya nuestro compromiso con el control de calidad superior y mejora nuestra credibilidad como proveedor preferido para los OEM que priorizan la calidad y la consistencia. Con sede en Texas, EE. UU., tenemos centros de diseño, marketing e ingeniería, así como instalaciones en todo el mundo, con oficinas de soporte en todo el mundo.
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