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Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :ZXMN3G32DN8TA
Fabricante :Diodes Incorporated
Dasenic Número de pieza :ZXMN3G32DN8TA-DS
Ficha de datos :
ZXMN3G32DN8TA Ficha de datos
ZXMN3G32DN8TA Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.8910 | $ 0.89 |
| 10+ | $ 0.5976 | $ 5.98 |
| 100+ | $ 0.4140 | $ 41.4 |
| 500+ | $ 0.3303 | $ 165.15 |
| 1000+ | $ 0.2889 | $ 288.9 |
En stock: 23059
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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ZXMN3G32DN8TA información
Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Potencia - Máxima:1.8W
- Paquete de dispositivo del proveedor:8-SO
- Tipo F E T:2 N-Channel (Dual)
- Función F E T:Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):30V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:5.5A
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:28mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:3V @ 250µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:10.5nC @ 10V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:472pF @ 15V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ZXMN3G32DN8TA fornecido por Diodes Incorporated
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) es un fabricante y proveedor líder mundial de productos estándar específicos para aplicaciones de alta calidad dentro de los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos, analógicos y de señal mixta. Diodes atiende a los mercados automotriz, industrial, informático, de electrónica de consumo y de comunicaciones. Nuestra cartera de productos incluye diodos, transistores, MOSFET, dispositivos de protección, lógica, reguladores de voltaje, amplificadores, sensores y dispositivos de administración de energía como convertidores y controladores de LED. También ofrecemos soluciones de sincronización y conectividad. Las instalaciones de fabricación de Diodes cuentan con certificaciones reconocidas internacionalmente en ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 (para productos automotrices) y C-TPAT, lo que subraya nuestro compromiso con el control de calidad superior y mejora nuestra credibilidad como proveedor preferido para los OEM que priorizan la calidad y la consistencia. Con sede en Texas, EE. UU., tenemos centros de diseño, marketing e ingeniería, así como instalaciones en todo el mundo, con oficinas de soporte en todo el mundo.
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