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EPC Space FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
N.º de pieza del fabricante :FBG20N18BC
Fabricante :EPC Space
Dasenic Número de pieza :FBG20N18BC-DS
Ficha de datos :
FBG20N18BC Ficha de datos
FBG20N18BC Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 225.7200 | $ 225.72 |
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Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FBG20N18BC información
EPC Space FBG20N18BC especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:4-SMD, No Lead
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:4-SMD
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:18A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:26mOhm @ 18A, 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 3mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:900 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:5V
- Vgs (最大):+6V, -4V
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- HTS 米国:0000.00.0000
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FBG20N18BC fornecido por EPC Space
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