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Flip Electronics NSBC123EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
N.º de pieza del fabricante :NSBC123EPDXV6T1G
Fabricante :Flip Electronics
Dasenic Número de pieza :NSBC123EPDXV6T1G-DS
Ficha de datos :
NSBC123EPDXV6T1G Ficha de datos
NSBC123EPDXV6T1G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.0484 | $ 0.05 |
| 25+ | $ 0.0474 | $ 1.19 |
| 100+ | $ 0.0455 | $ 4.55 |
| 500+ | $ 0.0436 | $ 21.8 |
| 1000+ | $ 0.0411 | $ 41.1 |
En stock: 6733
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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NSBC123EPDXV6T1G información
Flip Electronics NSBC123EPDXV6T1G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- Estado del producto:Obsolete
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:SOT-563, SOT-666
- Potencia - Máxima:500mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-563
- Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):100mA
- Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):50V
- Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
- Corriente de corte del colector (máx.):500nA
- Ganancia de corriente continua (h F E) (mín.) a Ic, Vce:8 @ 5mA, 10V
- Frecuencia - Transición:-
- Resistencia - Base ( R1):2.2kOhms
- Resistencia - Base del emisor ( R2):2.2kOhms
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.21.0095
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NSBC123EPDXV6T1G fornecido por Flip Electronics
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