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Flip Electronics NVMFSW6D1N08HT1G
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
N.º de pieza del fabricante :NVMFSW6D1N08HT1G
Fabricante :Flip Electronics
Dasenic Número de pieza :NVMFSW6D1N08HT1G-DS
Ficha de datos :
NVMFSW6D1N08HT1G Ficha de datos
NVMFSW6D1N08HT1G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.3000 | $ 3.3 |
| 10+ | $ 2.2340 | $ 22.34 |
| 100+ | $ 3.3000 | $ 330 |
| 500+ | $ 1.2844 | $ 642.2 |
En stock: 2620
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.3
Total :$ 3.30
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NVMFSW6D1N08HT1G información
Flip Electronics NVMFSW6D1N08HT1G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN, 5 Leads
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 消費電力（最大）:3.8W (Ta), 104W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17A (Ta), 89A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.5mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 120µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2085 pF @ 40 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NVMFSW6D1N08HT1G fornecido por Flip Electronics
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