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GaNPower GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
N.º de pieza del fabricante :GPI65005DF
Fabricante :GaNPower
Dasenic Número de pieza :GPI65005DF-DS
Ficha de datos :
GPI65005DF Ficha de datos
GPI65005DF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GPI65005DF información
GaNPower GPI65005DF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:Die
- Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
- Paquete de dispositivo del proveedor:Die
- Disipación de potencia (máxima):-
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:5A
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:-
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:1.4V @ 1.75mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:2.6 nC @ 6 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:45 pF @ 400 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):6V
- Vgs (máximo):+7.5V, -12V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Clasificación MSL:Vendor omitted MSL Rating information
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65005DF fornecido por GaNPower
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