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GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
N.º de pieza del fabricante :1N8026-GA
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :1N8026-GA-DS
Ficha de datos :
1N8026-GA Ficha de datos
1N8026-GA Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 3+ | $ 2504.6600 | $ 7513.98 |
| 5+ | $ 1591.2000 | $ 7956 |
| 8+ | $ 1049.7600 | $ 8398.08 |
| 10+ | $ 1028.7600 | $ 10287.6 |
En stock: 1401
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2504.66
Total :$ 2504.66
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1N8026-GA información
GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-257-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-257
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):8A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.6 V @ 2.5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:237pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 250°C
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
1N8026-GA fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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