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GeneSiC Semiconductor DB103G
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
N.º de pieza del fabricante :DB103G
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :DB103G-DS
Ficha de datos :
DB103G Ficha de datos
DB103G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.1700 | $ 1.17 |
| 10+ | $ 0.6903 | $ 6.9 |
| 25+ | $ 0.5580 | $ 13.95 |
| 100+ | $ 0.4059 | $ 40.59 |
| 250+ | $ 0.3285 | $ 82.13 |
En stock: 7069
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 1.17
Total :$ 1.17
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DB103G información
GeneSiC Semiconductor DB103G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:DB
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:200 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):1 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 1 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 200 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DB103G fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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