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GeneSiC Semiconductor DB105G

Name: DB105G
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5732889
Price: 0.792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB

N.º de pieza del fabricante :DB105G

Fabricante :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Número de pieza :DB105G-DS

Ficha de datos :

DB105G Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB

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10000+	$ 0.4200	$ 4200
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DB105G información

GeneSiC Semiconductor DB105G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:DB
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:600 V
電流 - 平均整流 ( Io):1 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 1 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
DB105G,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

DB105G fornecido por GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。