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GeneSiC Semiconductor DB156G

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DB
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :DB156G
Dasenic Número de pieza :DB156G-DS
Ficha de datos :pdf download DB156G Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DB
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 0.9000$ 9
5000+$ 0.5000$ 2500
10000+$ 0.4800$ 4800
20000+$ 0.4600$ 9200
En stock: 1326
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.9
Total :$ 0.90
Entrega :
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Pago :
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DB156G información

  • GeneSiC Semiconductor DB156G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DB
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):800 V
  • 電流 - 平均整流 ( Io):1.5 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 1.5 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 800 V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DB156G fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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