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GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- N.º de pieza del fabricante :G3R160MT12J
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Número de pieza :G3R160MT12J-DS
- Ficha de datos :
G3R160MT12J Ficha de datos - Descripción : SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 6.534Total : $ 6.53
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
- Entrega :
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En stock: 4800
( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 6.5340 | $ 6.53 |
| 10 + | $ 5.8680 | $ 58.68 |
| 25 + | $ 6.5340 | $ 163.35 |
| 100 + | $ 5.2830 | $ 528.30 |
| 250 + | $ 5.0580 | $ 1264.50 |
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GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-263-7
Disipación de potencia (máxima):128W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:22A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:192mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.69V @ 5mA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:28 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:730 pF @ 800 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):15V
Vgs (máximo):±15V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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