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GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
N.º de pieza del fabricante :G3R75MT12K
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :G3R75MT12K-DS
Ficha de datos :
G3R75MT12K Ficha de datos
G3R75MT12K Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 6.2190 | $ 6.22 |
| 50+ | $ 6.1560 | $ 307.8 |
En stock: 8550
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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G3R75MT12K información
GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-4
- Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-4
- Disipación de potencia (máxima):207W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:41A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:90mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.69V @ 7.5mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:54 nC @ 15 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1560 pF @ 800 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):15V
- Vgs (máximo):±15V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R75MT12K fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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