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GeneSiC Semiconductor GA080TH65-227SP
N.º de pieza del fabricante :GA080TH65-227SP
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GA080TH65-227SP-DS
Ficha de datos : GA080TH65-227SP Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
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Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GA080TH65-227SP información
GeneSiC Semiconductor GA080TH65-227SP especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- 構造:Single
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):-
- 電圧 - オフ状態:6.5 kV
- S C R、ダイオードの数:1 SCR
- 電流 - オン状態 ( It ( A V)) (最大):80 A
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):139 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):-
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):100 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA080TH65-227SP fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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