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GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
N.º de pieza del fabricante :GA100JT17-227
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GA100JT17-227-DS
Ficha de datos :
GA100JT17-227 Ficha de datos
GA100JT17-227 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS SJT 1700V 160A SOT227
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 30+ | $ 502.5000 | $ 15075 |
En stock: 1964
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GA100JT17-227 información
GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- 消費電力（最大）:535W (Tc)
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:160A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 100A
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:14400 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GA100JT17-227 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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