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GeneSiC Semiconductor GBJ35B

100V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :GBJ35B
Dasenic Número de pieza :GBJ35B-DS
Ficha de datos :pdf download GBJ35B Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 100V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 5.3100$ 53.1
1000+$ 3.5400$ 3540
2000+$ 3.3800$ 6760
4000+$ 3.2200$ 12880
En stock: 1629
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.31
Total :$ 5.31
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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GBJ35B información

  • GeneSiC Semiconductor GBJ35B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:GBJ
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):100 V
  • 電流 - 平均整流 ( Io):35 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 17.5 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 100 V
  • 基本製品番号:GBJ35
  • パッケージ:Bulk
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ35B fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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