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GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A
1200V 20A TO-220-2 SIC SCHOTTKY
N.º de pieza del fabricante :GD20MPS12A
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GD20MPS12A-DS
Ficha de datos :
GD20MPS12A Ficha de datos
GD20MPS12A Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 1200V 20A TO-220-2 SIC SCHOTTKY
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 4.7970 | $ 4.8 |
| 5+ | $ 4.4730 | $ 22.37 |
| 25+ | $ 4.1580 | $ 103.95 |
| 50+ | $ 3.9960 | $ 199.8 |
| 100+ | $ 3.8340 | $ 383.4 |
En stock: 8433
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.797
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GD20MPS12A información
GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-220-2
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220-2
- Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):42A (DC)
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.8 V @ 20 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:10 µA @ 1200 V
- Capacitancia @ Vr, F:737pF @ 1V, 1MHz
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD20MPS12A fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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