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GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J
650V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
N.º de pieza del fabricante :GD30MPS06J
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GD30MPS06J-DS
Ficha de datos :
GD30MPS06J Ficha de datos
GD30MPS06J Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 650V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.5120 | $ 1.51 |
| 10+ | $ 1.5120 | $ 15.12 |
| 25+ | $ 1.5120 | $ 37.8 |
| 50+ | $ 1.5120 | $ 75.6 |
| 100+ | $ 1.5120 | $ 151.2 |
En stock: 3240
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.512
Total :$ 1.51
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GD30MPS06J información
GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):51A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:-
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:-
- 静電容量 @ Vr、 F:735pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD30MPS06J fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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