Las imágenes son sólo para referencia.

Share

1 : $2.9100

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • GeneSiC Semiconductor KBJ2506G

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A KBJ
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :KBJ2506G
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Número de pieza :KBJ2506G-DS
  • Ficha de datos :pdf download KBJ2506G Ficha de datos
  • Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A KBJ
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 2.91Total : $ 2.91
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1328
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
10 +$ 2.9100$ 29.10
1500 +$ 1.9400$ 2910.00
3000 +$ 1.8400$ 5520.00
6000 +$ 1.7600$ 10560.00

Solicitar presupuesto

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

GeneSiC Semiconductor KBJ2506G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-SIP, KBJ
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:KBJ
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧(最大):600 V
電流 - 平均整流 ( Io):25 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.05 V @ 12.5 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor KBJ2506G
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Recomendaciones de productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

Calificaciones y reseñas

Calificaciones

Por favor, Califica el producto!

Envía tus comentarios después de iniciar sesión en tu cuenta.

  • RFQ