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GeneSiC Semiconductor MBRH12080R
DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
N.º de pieza del fabricante :MBRH12080R
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :MBRH12080R-DS
Ficha de datos :
MBRH12080R Ficha de datos
MBRH12080R Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 18+ | $ 129.1200 | $ 2324.16 |
| 36+ | $ 123.1600 | $ 4433.76 |
| 72+ | $ 117.7400 | $ 8477.28 |
En stock: 1568
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 129.12
Total :$ 129.12
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MBRH12080R información
GeneSiC Semiconductor MBRH12080R especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:D-67
- Paquete de dispositivo del proveedor:D-67
- Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Schottky, Reverse Polarity
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):120A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:840 mV @ 120 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:4 mA @ 20 V
- Capacitancia @ Vr, F:-
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):80 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):-
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBRH12080R fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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