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GeneSiC Semiconductor MSRT200100(A)D

Name: MSRT200100(A)D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5768985
Price: 183.62 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

N.º de pieza del fabricante :MSRT200100(A)D

Fabricante :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Número de pieza :MSRT200100(A)D-DS

Ficha de datos :

MSRT200100(A)D Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

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MSRT200100(A)D información

GeneSiC Semiconductor MSRT200100(A)D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 200 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1000 V
ダイオード構成:1 Pair Series Connection
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1000 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MSRT200100(A)D,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MSRT200100(A)D fornecido por GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。