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1 : $200.1200

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GeneSiC Semiconductor MURT10060R

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :MURT10060R
Dasenic Número de pieza :MURT10060R-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
20+$ 200.1200$ 4002.4
40+$ 190.8800$ 7635.2
80+$ 182.4600$ 14596.8
En stock: 2125
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 200.12
Total :$ 200.12
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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MURT10060R información

  • GeneSiC Semiconductor MURT10060R especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Three Tower
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 100 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 50 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Anode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):50A
  • 逆回復時間 (trr):75 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MURT10060R fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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