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Global Power Technology-GPT G3S06512B
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
N.º de pieza del fabricante :G3S06512B
Fabricante :Global Power Technology-GPT
Dasenic Número de pieza :G3S06512B-DS
Ficha de datos :
G3S06512B Ficha de datos
G3S06512B Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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G3S06512B información
Global Power Technology-GPT G3S06512B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-3
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247AB
- Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.7 V @ 6 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:50 µA @ 650 V
- Configuración de diodos:1 Pair Common Cathode
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):650 V
- Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):27A (DC)
- Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3S06512B fornecido por Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) es uno de los pioneros en la industrialización de dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) de China. Conocida como el primer fabricante de dispositivos de potencia de SiC en China, GPT posee una fábrica completa de semiconductores ubicada en Beijing. La línea de producción es compatible con la fabricación de obleas de 4/6 de pulgada. Como la primera empresa nacional de servicios de plataforma de producción e investigación y desarrollo de dispositivos de SiC, la línea de producción de GPT cubre productos de tecnología básica, productos de moldeo de SIC y múltiples soluciones industriales. Los productos principales de la empresa están representados por diodos Schottky de SiC. La serie de productos de diodos Schottky de carburo de silicio se han puesto en producción en masa, la calidad de los productos se puede comparar con el nivel avanzado de la misma industria en el mundo.
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