Comentario
日本語

Las imágenes son sólo para referencia.

Compartir

1 : $2.0340

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Global Power Technology-GPT G5S06506QT

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN8*
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :G5S06506QT
Dasenic Número de pieza :G5S06506QT-DS
Referencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN8*
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
60+$ 2.0340$ 122.04
En stock: 5940
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.034
Total :$ 2.03
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

G5S06506QT información

  • Global Power Technology-GPT G5S06506QT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:4-PowerTSFN
  • サプライヤーデバイスパッケージ:4-DFN (8x8)
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電流 - 平均整流 ( Io):34A (DC)
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.5 V @ 6 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 650 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:395pF @ 0V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH info available upon request
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S06506QT fornecido por Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
Global Power Technology-GPT Productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

  • RFQ