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Global Power Technology-GPT G5S12040B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
N.º de pieza del fabricante :G5S12040B
Fabricante :Global Power Technology-GPT
Dasenic Número de pieza :G5S12040B-DS
Ficha de datos :
G5S12040B Ficha de datos
G5S12040B Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 43.3890 | $ 43.39 |
| 100+ | $ 40.3518 | $ 4035.18 |
| 1000+ | $ 39.0501 | $ 39050.1 |
| 10000+ | $ 36.8807 | $ 368807 |
En stock: 10521
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 43.389
Total :$ 43.39
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G5S12040B información
Global Power Technology-GPT G5S12040B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-3
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247AB
- Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.7 V @ 20 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:50 µA @ 1200 V
- Configuración de diodos:1 Pair Common Cathode
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
- Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):62A (DC)
- Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S12040B fornecido por Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) es uno de los pioneros en la industrialización de dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) de China. Conocida como el primer fabricante de dispositivos de potencia de SiC en China, GPT posee una fábrica completa de semiconductores ubicada en Beijing. La línea de producción es compatible con la fabricación de obleas de 4/6 de pulgada. Como la primera empresa nacional de servicios de plataforma de producción e investigación y desarrollo de dispositivos de SiC, la línea de producción de GPT cubre productos de tecnología básica, productos de moldeo de SIC y múltiples soluciones industriales. Los productos principales de la empresa están representados por diodos Schottky de SiC. La serie de productos de diodos Schottky de carburo de silicio se han puesto en producción en masa, la calidad de los productos se puede comparar con el nivel avanzado de la misma industria en el mundo.
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