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Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
N.º de pieza del fabricante :BSC150N03LDGATMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :BSC150N03LDGATMA1-DS
Ficha de datos :
BSC150N03LDGATMA1 Ficha de datos
BSC150N03LDGATMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 21+ | $ 0.3965 | $ 8.33 |
| 25+ | $ 0.2654 | $ 6.64 |
En stock: 38508
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BSC150N03LDGATMA1 información
Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- パワー - 最大:26W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TDSON-8-4
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:15mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:13.2nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1100pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BSC150N03LDGATMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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