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Infineon Technologies FS75R12W2T7B11BOMA1
IGBT MOD 1200V 75A
N.º de pieza del fabricante :FS75R12W2T7B11BOMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :FS75R12W2T7B11BOMA1-DS
Ficha de datos :
FS75R12W2T7B11BOMA1 Ficha de datos
FS75R12W2T7B11BOMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 75A
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 126.4600 | $ 126.46 |
| 15+ | $ 95.0747 | $ 1426.12 |
En stock: 1515
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FS75R12W2T7B11BOMA1 información
Infineon Technologies FS75R12W2T7B11BOMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:20 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Full Bridge
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):65 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:13 µA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.55V @ 15V, 75A (Typ)
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:15.1 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FS75R12W2T7B11BOMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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