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Infineon Technologies FZ600R12KE3HOSA1
IGBT MOD 1200V 900A 2800W
N.º de pieza del fabricante :FZ600R12KE3HOSA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :FZ600R12KE3HOSA1-DS
Ficha de datos :
FZ600R12KE3HOSA1 Ficha de datos
FZ600R12KE3HOSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 139.3290 | $ 139.33 |
| 25+ | $ 136.5390 | $ 3413.48 |
| 100+ | $ 130.9680 | $ 13096.8 |
| 500+ | $ 125.3970 | $ 62698.5 |
| 1000+ | $ 118.4310 | $ 118431 |
En stock: 4728
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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Total :$ 139.33
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FZ600R12KE3HOSA1 información
Infineon Technologies FZ600R12KE3HOSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:Module
- Potencia - Máxima:2800 W
- Paquete de dispositivo del proveedor:Module
- Configuración:Single
- Aporte:Standard
- Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):900 A
- Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):1200 V
- Corriente de corte del colector (máx.):5 mA
- Tipo I G B T:Trench Field Stop
- Vce(encendido) ( Máx.) @ Vge, Ic:2.15V @ 15V, 600A
- Capacitancia de entrada ( Cies) a Vce:42 nF @ 25 V
- Termistor N T C:Yes
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FZ600R12KE3HOSA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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