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Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
N.º de pieza del fabricante :IKD10N60RFATMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IKD10N60RFATMA1-DS
Ficha de datos :
IKD10N60RFATMA1 Ficha de datos
IKD10N60RFATMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.6104 | $ 0.61 |
| 25+ | $ 0.5981 | $ 14.95 |
| 100+ | $ 0.5738 | $ 57.38 |
| 500+ | $ 0.5494 | $ 274.7 |
| 1000+ | $ 0.5189 | $ 518.9 |
En stock: 8242
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IKD10N60RFATMA1 información
Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:150 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
- 逆回復時間 (trr):72 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):20 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 10A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):30 A
- エネルギーの切り替え:190µJ (on), 160µJ (off)
- ゲートチャージ:64 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:12ns/168ns
- テスト条件:400V, 10A, 26Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IKD10N60RFATMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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