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Rochester Electronics IRFR3711TRLPBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :IRFR3711TRLPBF
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :IRFR3711TRLPBF-DS
Ficha de datos :
IRFR3711TRLPBF Ficha de datos
IRFR3711TRLPBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.4269 | $ 0.43 |
| 25+ | $ 0.4183 | $ 10.46 |
| 100+ | $ 0.4012 | $ 40.12 |
| 500+ | $ 0.3842 | $ 192.1 |
| 1000+ | $ 0.3629 | $ 362.9 |
En stock: 7200
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IRFR3711TRLPBF información
Rochester Electronics IRFR3711TRLPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D-Pak
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta), 120W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6.5mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:44 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2980 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRFR3711TRLPBF fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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