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Rochester Electronics IRGP6650D-EPBF
IGBT WITH RECOVERY DIODE
N.º de pieza del fabricante :IRGP6650D-EPBF
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :IRGP6650D-EPBF-DS
Ficha de datos :
IRGP6650D-EPBF Ficha de datos
IRGP6650D-EPBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT WITH RECOVERY DIODE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.5920 | $ 2.59 |
| 25+ | $ 2.5380 | $ 63.45 |
| 100+ | $ 2.4390 | $ 243.9 |
| 500+ | $ 2.3310 | $ 1165.5 |
| 1000+ | $ 2.2050 | $ 2205 |
En stock: 4500
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.592
Total :$ 2.59
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IRGP6650D-EPBF información
Rochester Electronics IRGP6650D-EPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:306 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
- 逆回復時間 (trr):50 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):80 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.95V @ 15V, 35A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):105 A
- エネルギーの切り替え:300µJ (on), 630µJ (off)
- ゲートチャージ:75 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:40ns/105ns
- テスト条件:400V, 35A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRGP6650D-EPBF fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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