Comentario
日本語

Las imágenes son sólo para referencia.

Compartir

1 : $3.1680

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS DHG10I1200PM

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :DHG10I1200PM
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DHG10I1200PM-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 3.1680$ 3.17
10+$ 1.8810$ 18.81
100+$ 1.5570$ 155.7
500+$ 1.3140$ 657
1000+$ 1.1160$ 1116
En stock: 3711
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.168
Total :$ 3.17
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

DHG10I1200PM información

  • IXYS DHG10I1200PM especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220ACFP
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):10A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.69 V @ 10 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:15 µA @ 1200 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:-
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 逆回復時間 (trr):75 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG10I1200PM fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

  • RFQ