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IXYS DHG55I3300FE

POWER DIODE DISCRETES-SONIC I4-P
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :DHG55I3300FE
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DHG55I3300FE-DS
Referencia de cliente :
Descripción : POWER DIODE DISCRETES-SONIC I4-P
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 128.0959$ 128.1
25+$ 119.7158$ 2992.9
En stock: 2380
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 128.0959
Total :$ 128.10
Entrega :
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Pago :
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DHG55I3300FE información

  • IXYS DHG55I3300FE especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Estado del producto:Active
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • Paquete / Caja:i4-Pac™-5 (2 Leads)
  • Paquete de dispositivo del proveedor:ISOPLUS i4-PAC™
  • Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tipo de diodo:Standard
  • Corriente - Promedio Rectificado ( Io):50A
  • Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:3.4 V @ 60 A
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr:100 µA @ 3300 V
  • Capacitancia @ Vr, F:16pF @ 1.8kV, 1MHz
  • Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):3300 V
  • Tiempo de recuperación inversa (trr):1.65 µs
  • Temperatura de funcionamiento - Unión:-40°C ~ 150°C
  • Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
  • Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.10.0080
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG55I3300FE fornecido por IXYS
Desde su fundación en Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ha sido pionera a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia, relés de estado sólido, circuitos integrados de alto voltaje y microcontroladores. Con una base de clientes finales de más de 3500 en las industrias industrial, automotriz, de comunicaciones, de consumo, médica y de transporte, IXYS es un proveedor reconocido a nivel mundial de semiconductores avanzados. IXYS se centra en diversas tecnologías de semiconductores, incluidos MOSFET de potencia, IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), rectificadores, tiristores, diodos y otras soluciones de semiconductores discretas e integradas. La empresa también fabrica circuitos integrados de señal mixta y analógicos, amplificadores de potencia de RF y circuitos integrados de gestión de energía. En enero de 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) finalizó la adquisición de IXYS Corporation y IXYS fue excluida de la lista del NASDAQ.
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