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IXYS DSEI8-06AS-TRL
N.º de pieza del fabricante :DSEI8-06AS-TRL
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DSEI8-06AS-TRL-DS
Ficha de datos : DSEI8-06AS-TRL Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 3600
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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DSEI8-06AS-TRL información
IXYS DSEI8-06AS-TRL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):8A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.5 V @ 8 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:20 µA @ 600 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 逆回復時間 (trr):50 ns
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DSEI8-06AS-TRL fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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