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IXYS E1780TG65E

Name: E1780TG65E
Brand: IXYS
SKU: DS-5840646
Price: 3194.94 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

N.º de pieza del fabricante :E1780TG65E

Fabricante :IXYS

Dasenic Número de pieza :E1780TG65E-DS

Ficha de datos :

E1780TG65E Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

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E1780TG65E información

IXYS E1780TG65E especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:TO-200AF
サプライヤーデバイスパッケージ:-
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):1780A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:3.83 V @ 1.78 kA
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 mA @ 3600 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):3600 V
逆回復時間 (trr):1.22 µs
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 140°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
E1780TG65E,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

E1780TG65E fornecido por IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。