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IXYS FII24N170AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
N.º de pieza del fabricante :FII24N170AH1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :FII24N170AH1-DS
Ficha de datos :
FII24N170AH1 Ficha de datos
FII24N170AH1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
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FII24N170AH1 información
IXYS FII24N170AH1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:i4-Pac™-4, Isolated
- パワー - 最大:140 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
- 構成:Half Bridge
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):18 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1700 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100 µA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:6V @ 15V, 16A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:2.4 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- カリフォルニア州プロポジション 65:Warning: This product may contain chemicals prohibited by California Proposition 65.
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FII24N170AH1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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