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IXYS IX3120GES
N.º de pieza del fabricante :IX3120GES
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IX3120GES-DS
Ficha de datos : IX3120GES Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
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IX3120GES información
IXYS IX3120GES especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Isolator Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 100°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SMD, Gull Wing
- テクノロジー:Optical Coupling
- 承認機関:IEC/EN/DIN, UR
- チャンネル数:1
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SMD
- 電流 - 出力高、低:2A, 2A
- 電圧 - 絶縁:3750Vrms
- 電流 - ピーク出力:2.5A
- 上昇/下降時間(標準):100ns, 100ns
- コモンモード過渡耐性(最小):25kV/µs
- 伝播遅延 tp L H / tp H L (最大):500ns, 500ns
- パルス幅歪み(最大):300ns
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (標準):1.24V
- 電流 - D C順方向( If)(最大):20 mA
- 電圧 - 出力供給:15V ~ 30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IX3120GES fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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