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IXYS LDA211S
N.º de pieza del fabricante :LDA211S
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :LDA211S-DS
Ficha de datos : LDA211S Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : OPTOISO 3.75KV 2CH DARLNG 8SMD
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 1508
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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LDA211S información
IXYS LDA211S especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SMD, Gull Wing
- 入力タイプ:DC
- 出力タイプ:Darlington
- チャンネル数:2
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SMD
- 電流 - 出力 / チャンネル:-
- 電圧 - 絶縁:3750Vrms
- 上昇/下降時間(標準):-
- 電圧 - 出力(最大):30V
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (標準):1.2V
- 電流 - D C順方向( If)(最大):1 mA
- 電流伝達比(最小):300% @ 1mA
- 電流伝達比(最大):30000% @ 1mA
- オン/オフ時間(標準):8µs, 345µs
- Vce 飽和度 (最大):1V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.49.8000
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
LDA211S fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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