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IXYS IXFB30N120P

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IXFB30N120P
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXFB30N120P-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 37.7550$ 37.76
10+$ 34.7580$ 347.58
25+$ 29.2770$ 731.93
100+$ 29.2680$ 2926.8
En stock: 6000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 37.755
Total :$ 37.76
Entrega :
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Pago :
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IXFB30N120P información

  • IXYS IXFB30N120P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS264™
  • 消費電力(最大):1250W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:350mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:6.5V @ 1mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:310 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:22500 pF @ 25 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXFB30N120P fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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